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森晖半导体
化合物半导体 · 全尺寸工艺平台

苏州森晖半导体
引领化合物半导体制造

4/6/8寸晶圆代工 · 硅光/MEMS/GaN/SiC/Ga₂O₃ · 小试研发到量产

250+
先进设备
9000㎡
洁净室
300+
合作伙伴

苏州森晖半导体有限公司

国内专注于化合物半导体领域的技术服务与制造企业,为全球客户提供工艺解决方案、晶圆代工及相关技术服务。核心团队成员均具备十多年半导体行业经验,在光刻、薄膜、外延、键合、刻蚀、湿法、研抛等关键工艺领域拥有成熟技术积累,与国内外多家知名高校及科研机构建立合作,形成“研发 – 产业化 – 科研支撑”协同模式。

平台优势:全尺寸工艺兼容 (4/6/8寸) · 250余台先进设备 · 多场景技术服务

📬 联系方式

📍 苏州高新区城际路21号2幢1307-A室

📞 15262626897 (王经理)

🌍 服务全国 · 合作案例未公开

江苏中小客户 | 华东化合物半导体 | 北京边缘计算 | 苏州氮化镓PD | 南京碳化硅SBD

三大平台优势

全尺寸工艺兼容

  • 4寸 / 6寸 / 8寸全尺寸工艺线
  • 8寸:硅基化合物集成、异质集成、GaN-on-Si
  • 6寸:GaAs、SiC、GaN-on-SiC
  • 4寸及以下:Ⅲ-Ⅴ族、二维材料、XOI集成
  • 兼容小试研发与量产代工

完善设备与工艺

  • 250+台套设备:外延(MOCVD/MBE/HTCVD)、光刻(ASML/CANON/EBL)、刻蚀(SiO₂/SiN/金属/SiC/GaN等)
  • 键合:低温熔融/高压/超高真空/混合键合 (精度0.3μm)
  • 薄膜沉积(PVD/CVD/ALD)、湿法、CMP、激光隐切
  • 检测:SAM、AOI等

多场景技术服务

  • 小试研发:工艺方案、材料验证、器件优化
  • 委托加工:单步/多步工艺、来料加工
  • 量产代工:6寸SiC中试线、8寸量产线
  • 稳定重复性与良率控制

核心业务布局

硅光器件

8寸TFLNLNOI/SOI全球首片8寸硅光TFLN光电集成晶圆,应用于光通信、数据中心、激光雷达。

MEMS器件

SON衬底BAW8寸MEMS平台,医电类、体声波器件,消费电子/工业传感/医疗设备。

宽禁带半导体

GaNSiCGa₂O₃6寸GaN射频 · 6寸SiC MOSFET/SBD · 2寸Ga₂O₃功率器件,覆盖5G/6G、新能源、智能电网。

传统化合物

GaAsInP6寸HBT、3寸InP光电子,4寸及以下Ⅲ-Ⅴ族、二维材料、XOI集成研究。

全方位服务体系

晶圆代工

4/6/8寸化合物半导体代工,全制程或部分制程,硅光/MEMS/GaN/SiC/InP等。

小试研发

工艺开发、器件验证、材料测试,支持高校/科研院所小批量定制。

委托加工

单步/多步工艺委托,光刻、刻蚀、键合、研抛等灵活组合。

配套技术

工艺咨询、人才合作、供应链支持,设备选型与验证。

综合实力

技术领先:全球首片8寸硅光TFLN集成晶圆、国内首批SiC沟槽MOSFET、GaN低损伤刻蚀、高精度异质键合等。

产业协同:与300+企业/高校合作,联合实验室、流片支持、设备验证。

规模化服务:6寸SiC中试线、8寸工艺线稳定量产,4寸及以下小试线并行,覆盖“小试-中试-量产”。

百级洁净室6000㎡ · 温度±0.5℃ · 湿度±5% · VC-D防微震

服务网络 · 推广地区

全国江苏中小客户华东化合物半导体北京边缘计算苏州氮化镓PD南京碳化硅SBD无锡新能源三代半广东军工级湖南医疗电子南京初创芯片华东快充GaN北京国产三代半湖北5G毫米波GaN上海碳化硅湖北宽禁带广东高频高功率重庆90nm / 电动汽车SiC湖南高频氮化镓深圳功率器件长三角AI芯片/工业控制江苏GaN广东定制化长三角光伏逆变器苏州Fabless深圳车规级SiC湖北汽车半导体上海湿法刻蚀/航空航天级山东高频GaN射频北京快充氮化镓无锡物联网湖南超结MOSFET深圳消费电子西安28nm/低损耗SiC苏州第三代半导体山东40nm华东干法刻蚀南京成熟制程无锡工业传感器四川65nm/高压功率模块江苏汽车电子

工艺中心与设备实景